IRLHM620TRPBF备选型号: IRFH5255TRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
    12 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    26A Ta 40A Tc
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    3.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    37W
    DRAIN
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 20A, 4.5V
    1.1V @ 50μA
    3620pF @ 10V
    78nC @ 4.5V
    25ns
    ±12V
    37 ns
    26A
    800mV
    12V
    20V
    800 mV
    3.3mm
    3.2766mm
    990.6μm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
    -
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    15A Ta 51A Tc
    2010
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6MOhm
    -
    -
    DUAL
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    988pF @ 13V
    14.5nC @ 10V
    10.7ns
    ±20V
    3.8 ns
    51A
    -
    20V
    25V
    -
    5mm
    5.9944mm
    838.2μm
    符合RoHS标准
    -
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60A
    53 mJ
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