IRLHS2242TR2PBF备选型号: IRF7425TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN表面贴装表面贴装6-PowerVDFN66-PQFN (2x2)7.2A Ta 15A TcCut Tape (CT)HEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C2.1WSingle2.1W7.9 nsP-Channel31mOhm @ 8.5A, 4.5V1.1V @ 10μA877pF @ 10V12nC @ 10V54ns20V66 ns7.2A-800mV12V-20V870pF41 ns31mOhm31 mΩ-800 mV950μm2.1mm2.1mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------------------
- MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-15A TaTape & Reel (TR)HEXFET®2006活跃1 (Unlimited)---Single2.5W13 nsP-Channel8.2m Ω @ 15A, 4.5V1.2V @ 250μA7980pF @ 15V130nC @ 4.5V20ns-160 ns-15A-1.2V12V-20V-180 ns--1.2 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅12 WeeksTinSILICON-55°C~150°C TJe38SMD/SMTEAR998.2MOhm-20VDUAL鸥翼260-15A301增强型MOSFETSWITCHING±12V60A20V150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7456TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | 对比 |
| FDS6576 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |




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