Infineon Technologies IRLHS2242TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerVDFN

引脚数

6

供应商器件包装

6-PQFN (2x2)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.2A Ta 15A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

54 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.1W

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 8.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

877pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

54ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

66 ns

连续放电电流(ID)

7.2A

阈值电压

-800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

输入电容

870pF

恢复时间

41 ns

漏源电阻

31mOhm

最大rds

31 mΩ

栅源电压

-800 mV

高度

950μm

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅