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首页 全部分类 IRLHS2242TRPBF vs IRLHS6242TRPBF

IRLHS2242TRPBF备选型号: IRLHS6242TRPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRLHS2242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    7.2A Ta 15A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    31MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    9.6W
    7.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    877pF @ 10V
    12nC @ 10V
    54ns
    20V
    ±12V
    66 ns
    7.2A
    -800mV
    12V
    -20V
    34A
    -800 mV
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    10A Ta 12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    9.6W
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1110pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    -
    ±12V
    13 ns
    10A
    800mV
    12V
    20V
    88A
    800 mV
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    DRAIN
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
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