Infineon Technologies IRLHS6242TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

6-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.1V @ 10μA

Turn Off Delay Time

19 ns

Power Dissipation (Max)

1.98W Ta 9.6W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta 12A Tc

已出版

2011

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

9.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

栅源电压

800 mV

宽度

2.1mm

长度

2.1mm

高度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅