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首页 全部分类 IRLL024ZTRPBF vs IRLL024ZPBF

IRLL024ZTRPBF备选型号: IRLL024ZPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRLL024ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    60MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    8.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    11nC @ 5V
    33ns
    ±16V
    15 ns
    5A
    16V
    5A
    55V
    40A
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLL024ZPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 55V; 5A; 2.8W; SOT223
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1999
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    60MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.8W
    -
    8.6 ns
    N-Channel
    -
    60m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    11nC @ 5V
    33ns
    ±16V
    15 ns
    5A
    16V
    -
    55V
    -
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    55V
    5A
    3V
    55V
    3 V
    无SVHC
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