IRLL2703TRPBF备选型号: ZXM62N03GTA

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 正向电压
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    3.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    3.9A
    30
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 3.9A, 10V
    2.4V @ 250μA
    530pF @ 25V
    14nC @ 5V
    24ns
    ±16V
    1V
    14 ns
    3.9A
    16V
    30V
    16A
    180 mJ
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N-Chnl HDMOS
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    SILICON
    3.4A Ta 4.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    150mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    4.7A
    40
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    3.9W
    DRAIN
    2.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    380pF @ 25V
    9.6nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    -
    6.4 ns
    4.7A
    20V
    30V
    -
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    no
    4
    1
    3.4A
    无SVHC
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