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首页 全部分类 IRLM110ATF vs FQT7N10LTF

IRLM110ATF备选型号: FQT7N10LTF

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  • 输入电容
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  • 栅源电压
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    IRLM110ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SOT-223-4
    188mg
    1.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    44MOhm
    150°C
    -55°C
    100V
    1.5A
    Single
    2.2W
    N-Channel
    440mOhm @ 750mA, 5V
    2V @ 250μA
    235pF @ 25V
    8nC @ 5V
    10ns
    100V
    ±20V
    8 ns
    1.5A
    20V
    100V
    235pF
    440mOhm
    440 mΩ
    2 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQT7N10LTF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    188mg
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    350mOhm
    -
    -
    100V
    1.7A
    Single
    2W
    N-Channel
    350m Ω @ 850mA, 10V
    2V @ 250μA
    290pF @ 25V
    6nC @ 5V
    100ns
    -
    ±20V
    50 ns
    1.7A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    4
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G4
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    2V
    6.8A
    50 mJ
    150°C
    1.8mm
    6.5mm
    3.56mm
    无
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