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IRLM120ATF备选型号: BSP372NH6327XTSA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 系列
- 已出版
- 附加功能
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 无卤素
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4188mgSILICON2.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3yes不用于新设计1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼25030Single增强型MOSFET2.7WDRAIN5 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 1.15A, 5V2V @ 250μA440pF @ 25V15nC @ 5V10ns±20V9 ns2.3A20V0.22Ohm100V无ROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223-10 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4-SILICON1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3-活跃1 (Unlimited)4EAR99-DUAL鸥翼未说明未说明-增强型MOSFET1.8WDRAIN5.1 nsN-Channel-230m Ω @ 1.8A, 10V1.8V @ 218μA329pF @ 25V14.3nC @ 10V6.7ns±20V-1.8A20V0.23Ohm100V-ROHS3 Compliant无铅TinPG-SOT223-4OptiMOS™2013雪崩 额定4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1无卤素1.4V100V150°C28 pF1.7mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STN2NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| IRFM120ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223 | 对比 |
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