IRLM120ATF备选型号: BSP716NH6327XTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    188mg
    SILICON
    2.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    250
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 1.15A, 5V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    15nC @ 5V
    10ns
    ±20V
    9 ns
    2.3A
    20V
    0.22Ohm
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    -
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    160mOhm @ 2.3A, 10V
    1.8V @ 218μA
    315pF @ 25V
    13.1nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    -
    2.3A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    PG-SOT223-4
    OptiMOS™
    2013
    150°C
    -55°C
    无卤素
    75V
    75V
    315pF
    122mOhm
    160 mΩ
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