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IRLML2030TRPBF备选型号: IRLML6346TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003e3活跃1 (Unlimited)3EAR99100MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W4.1 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.7A, 10V2.3V @ 25μA110pF @ 15V1nC @ 4.5V3.3ns±20V2.9 ns2.7A1.7V20V2.2A30V11A14 ns1.7 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012e3活跃1 (Unlimited)3EAR9980MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W3.3 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 3.4A, 4.5V1.1V @ 10μA270pF @ 24V2.9nC @ 4.5V4ns±12V4.9 ns3.4A800mV12V-30V-13 ns800 mV1.12mm3.04mm1.4mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅Micro3未说明未说明不合格1150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 | 对比 |
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 | 对比 |
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