Infineon Technologies IRLML6346TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Turn Off Delay Time

12 ns

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Number of Elements

1

已出版

2012

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

80MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

3.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

63m Ω @ 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.9nC @ 4.5V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4.9 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

恢复时间

13 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

800 mV

宽度

1.4mm

长度

3.04mm

高度

1.12mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅