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IRLML2060TRPBF备选型号: DMP6350S-7
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)3EAR99480MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.25W4.9 nsN-ChannelSWITCHING480m Ω @ 1.2A, 10V2.5V @ 25μA64pF @ 25V0.67nC @ 4.5V3.8ns±16V2.8 ns1.2A2.5V16V60V4.8A21 ns1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT2317 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON1.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼-增强型MOSFET720mW3.6 nsP-ChannelSWITCHING350m Ω @ 900mA, 10V3V @ 250μA206pF @ 30V4.1nC @ 10V-±20V--1.5A-20V-60V--1.1mm----ROHS3 Compliant-HIGH RELIABILITY未说明未说明R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE160V0.35Ohm150°C- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN5618P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 | 对比 |
| IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
| DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 对比 |
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