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首页 全部分类 IRLML2402TRPBF vs FDN336P

IRLML2402TRPBF备选型号: FDN336P

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLML2402TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    Micro3
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    250mOhm
    HIGH RELIABILITY
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1.2A
    30
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    2.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 930mA, 4.5V
    700mV @ 250μA
    110pF @ 15V
    3.9nC @ 4.5V
    9.5ns
    ±12V
    4.8 ns
    1.2A
    700mV
    12V
    20V
    20V
    700 mV
    20V
    1.016mm
    3.0226mm
    3.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN336P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    -
    1.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    200mOhm
    -
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    -1.3A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 1.3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    330pF @ 10V
    5nC @ 4.5V
    12ns
    ±8V
    12 ns
    1.2A
    -900mV
    8V
    -20V
    -20V
    -900 mV
    -
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    30mg
    yes
    20V
    无
  • 添加型号
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