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首页 全部分类 IRLML6246TRPBF vs IRLML2502GTRPBF

IRLML6246TRPBF备选型号: IRLML2502GTRPBF

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • Infineon Technologies
    IRLML6246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    46MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    3.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 4.1A, 4.5V
    1.1V @ 5μA
    290pF @ 16V
    3.5nC @ 4.5V
    4.9ns
    ±12V
    6 ns
    4.1A
    12V
    12V
    20V
    13 ns
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2502GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    45MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 4.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    740pF @ 15V
    12nC @ 5V
    10ns
    ±12V
    26 ns
    4.2A
    -
    12V
    20V
    -
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HIGH RELIABILITY
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