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IRLML6302TRPBF备选型号: IRLML6246TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 恢复时间
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-2312 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICONMicro3780mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007e3活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99600mOhm逻辑电平兼容-20VDUAL鸥翼-620mASingle增强型MOSFET540mW13 nsP-ChannelSWITCHING600m Ω @ 610mA, 4.5V1.5V @ 250μA97pF @ 15V3.6nC @ 4.45V18ns±12V22 ns-780mA-1.5V12V0.78A-20V-20V-1.5 V20V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-2312 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON-4.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)3-EAR9946MOhm--DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET1.3W3.6 nsN-ChannelSWITCHING46m Ω @ 4.1A, 4.5V1.1V @ 5μA290pF @ 16V3.5nC @ 4.5V4.9ns±12V6 ns4.1A12V12V-20V---1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn)13 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 对比 |
 | PMV170UN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB | 对比 |
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