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首页 全部分类 IRLR2703TRPBF vs NTD23N03RT4

IRLR2703TRPBF备选型号: NTD23N03RT4

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRLR2703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    30V
    鸥翼
    260
    23A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 14A, 10V
    1V @ 250μA
    450pF @ 25V
    15nC @ 4.5V
    140ns
    ±16V
    20 ns
    23A
    TO-252AA
    16V
    30V
    96A
    77 mJ
    1 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD23N03RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    3.8A Ta 17.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    25V
    鸥翼
    240
    23A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    22.3W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    225pF @ 20V
    3.76nC @ 4.5V
    14.9ns
    ±20V
    -
    17.1A
    -
    20V
    25V
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    8541.29.00.95
    not_compliant
    3
    不合格
    3.8A
    0.06Ohm
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