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IRLR3103PBF备选型号: IRFR3707PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLR3103PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    19mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    30V
    鸥翼
    260
    55A
    30
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 33A, 10V
    1V @ 250μA
    1600pF @ 25V
    50nC @ 4.5V
    210ns
    ±16V
    54 ns
    55A
    TO-252AA
    16V
    20A
    30V
    220A
    240 mJ
    78 ns
    1 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3707PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    61A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    13MOhm
    -
    -
    30V
    -
    -
    61A
    -
    -
    -
    Single
    -
    87W
    -
    8.5 ns
    N-Channel
    -
    13mOhm @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1990pF @ 15V
    19nC @ 4.5V
    78ns
    ±20V
    3.3 ns
    61A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    D-Pak
    175°C
    -55°C
    30V
    1.99nF
    17.5mOhm
    13 mΩ
    无
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