IRLR3105PBF备选型号: IRLR2705TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 终端
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 55V 25A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON25A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR9937mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE55V鸥翼26025A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET57WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING37m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA710pF @ 25V20nC @ 5V57ns±16V37 ns25A3VTO-252AA16V55V55V3 V2.39mm6.73mm6.223mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 28A; D-pak (TO-252AA); Pd 68W; -55DE表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON28A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3活跃1 (Unlimited)2EAR9940mOhm-LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED55V鸥翼26024A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET46WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 17A, 10V2V @ 250μA880pF @ 25V25nC @ 5V100ns±16V29 ns28A2VTO-252AA16V55V55V2 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksTinSMD/SMT110 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRLR3105 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |
![]() | HUF75321D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK | 对比 |
![]() | IRLR3105TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |



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