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IRLR3105PBF备选型号: IRLR3105TRPBF

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  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLR3105PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    37mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    鸥翼
    260
    25A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    57W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    710pF @ 25V
    20nC @ 5V
    57ns
    ±16V
    37 ns
    25A
    3V
    TO-252AA
    16V
    55V
    55V
    3 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.223mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR3105TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    57W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    710pF @ 25V
    20nC @ 5V
    57ns
    ±16V
    37 ns
    25A
    -
    TO-252AA
    16V
    55V
    -
    -
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    100A
    61 mJ
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