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IRLR3110ZPBF备选型号: AUIRFR3710Z
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63342A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR9914MOhmSingle140mW24 nsN-Channel14m Ω @ 38A, 10V2.5V @ 100μA3980pF @ 25V48nC @ 4.5V110ns±16V48 ns42A2.5V16V100V100V51 ns2.5 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------ MOSFET N-CH 100V 42A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63342A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)-EAR9918MOhmSingle140W14 nsN-Channel18m Ω @ 33A, 10V4V @ 250μA2930pF @ 25V100nC @ 10V43ns±20V42 ns42A2V20V100V--2 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅26 WeeksTinSILICON2鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETSWITCHINGTO-252AA220A200 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK | 对比 |
| IRFR3710ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 对比 |
| AUIRFR3710Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 对比 |
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