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IRLR3110ZPBF备选型号: AUIRLR3110Z
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63342A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR9914MOhmSingle140mW24 nsN-Channel14m Ω @ 38A, 10V2.5V @ 100μA3980pF @ 25V48nC @ 4.5V110ns±16V48 ns42A2.5V16V100V100V51 ns2.5 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------- MOSFET N-CH 100V 63A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63342A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011Discontinued1 (Unlimited)-EAR99-Single140W24 nsN-Channel14m Ω @ 38A, 10V2.5V @ 100μA3980pF @ 25V48nC @ 4.5V110ns±16V48 ns42A1V16V100V---2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant-26 WeeksTinSILICONe32ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030AUIRLR3110ZR-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-252AA250A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD16AN08A0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK | 对比 |
| IRFR3710ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 对比 |
| AUIRFR3710Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 对比 |
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