您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRLR4343PBF vs IRFR4105TRPBF

IRLR4343PBF备选型号: IRFR4105TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLR4343PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    26A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -40°C
    55V
    26A
    Single
    79W
    5.7 ns
    N-Channel
    50mOhm @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 50V
    42nC @ 10V
    19ns
    55V
    ±20V
    5.3 ns
    26A
    20V
    55V
    740pF
    65mOhm
    50 mΩ
    2.2606mm
    6.7056mm
    6.22mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4105TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55V
    25A
    Single
    48W
    7 ns
    N-Channel
    45m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    34nC @ 10V
    49ns
    -
    ±20V
    40 ns
    27A
    20V
    55V
    -
    -
    -
    2.3876mm
    6.7056mm
    2.38mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    20A
    55V
    65 mJ
    86 ns
    4 V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HUF75321D3ST HUF75321D3ST ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 55V 20A DPAK 对比