Infineon Technologies IRLR4343PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

26A

元素配置

Single

功率耗散

79W

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.3 ns

连续放电电流(ID)

26A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

输入电容

740pF

漏源电阻

65mOhm

最大rds

50 mΩ

高度

2.2606mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅