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首页 全部分类 IRLR7821PBF vs FDD8876

IRLR7821PBF备选型号: FDD8876

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLR7821PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    10MOhm
    30V
    65A
    Single
    75W
    11 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 15A, 10V
    1V @ 250μA
    1030pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    4.2ns
    ±20V
    3.2 ns
    65A
    1V
    20V
    30V
    30V
    1 V
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8876
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    15A Ta 73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    30V
    73A
    Single
    70W
    8 ns
    N-Channel
    8.2m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    47nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    37 ns
    73A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    95 mJ
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IRLR8721TRPBF IRLR8721TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 对比