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IRLS4030TRL7PP备选型号: AUIRLS4030-7P
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 附加功能
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7SILICON190A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSINGLE鸥翼26030R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET370WDRAIN53 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11490pF @ 50V140nC @ 4.5V160ns±16VP-CHANNEL87 ns190A2.5V16V0.0039Ohm100V320 mJ1 V无SVHC无ROHS3 Compliant------
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P-表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7SILICON190A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2009e3-Discontinued1 (Unlimited)6EAR99-SINGLE鸥翼26030R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET370WDRAIN53 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11490pF @ 50V140nC @ 4.5V160ns±16V-87 ns190A1V16V0.0039Ohm100V320 mJ-无SVHC无ROHS3 CompliantTinAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY4.83mm10.67mm9.65mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
 | FDB0300N1007L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0300N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.7 VNew | 对比 |
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