Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF
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IRLS4030-7PPBF
1211-IRLS4030-7PPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
1最小包装量--
IRLS4030-7PPBF详情
Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
7
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Turn Off Delay Time
110 ns
Power Dissipation (Max)
370W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
190A Tc
已出版
2009
系列
HEXFET®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.9MOhm
元素配置
Single
功率耗散
370W
接通延迟时间
53 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.9m Ω @ 110A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11490pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 4.5V
上升时间
160ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
87 ns
连续放电电流(ID)
190A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
100V
双电源电压
100V
栅源电压
2.5 V
宽度
6.85mm
长度
10.3378mm
高度
4.3434mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
IRLS4030-7PPBF拓展信息
Infineon Technologies
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