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首页 全部分类 IRLU024NPBF vs SFT1350-H

IRLU024NPBF备选型号: SFT1350-H

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRLU024NPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id 17A; I-pak (TO-251AA); Pd 45W
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    65mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    55V
    260
    17A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    ±16V
    29 ns
    17A
    2V
    16V
    55V
    72A
    55V
    68 mJ
    2 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SFT1350-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 40V 19A TP
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    19A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    -
    2012
    e6
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1W
    -
    8 ns
    P-Channel
    -
    59m Ω @ 9.5A, 10V
    -
    590pF @ 20V
    12nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    44 ns
    19A
    -
    20V
    -40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    yes
    3
    无卤素
    40V
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