IRLU7833PBF备选型号: NTD4804NA-1G

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 下降时间(典型值)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    I-PAK
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    30V
    140A
    Single
    140W
    N-Channel
    4.5mOhm @ 15A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4010pF @ 15V
    50nC @ 4.5V
    6.9ns
    30V
    ±20V
    140A
    20V
    30V
    4.01nF
    5.5mOhm
    4.5 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    14.5A Ta 124A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    2.5W
    N-Channel
    4m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4490pF @ 12V
    40nC @ 4.5V
    20ns
    -
    ±20V
    124A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    20 ns
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