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IRLZ44NLPBF备选型号: FQI50N06TU

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLZ44NLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    47A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    55V
    47A
    110W
    N-Channel
    22m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    48nC @ 5V
    84ns
    ±16V
    47A
    16V
    55V
    2 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQI50N06TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    60V
    50A
    3.75W
    N-Channel
    22m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    1540pF @ 25V
    41nC @ 10V
    105ns
    ±25V
    50A
    25V
    60V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    2.084g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    65 ns
    0.022Ohm
    200A
    490 mJ
    无
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FQI50N06TU FQI50N06TU ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK 对比