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IRLZ44ZLPBF备选型号: IRF5305LPBF
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- 额定电流
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA351A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)55V51A80W14 nsN-Channel13.5m Ω @ 31A, 10V3V @ 250μA1620pF @ 25V36nC @ 5V160ns±16V42 ns51A16V55V9.65mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅----------- MOSFET P-CH 55V 31A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA331A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)--110W14 nsP-Channel60mOhm @ 16A, 10V4V @ 250μA1200pF @ 25V63nC @ 10V66ns±20V63 ns-31A20V-55V9.65mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅TO-26260mOhm175°C-55°C55V1.2nF60mOhm60 mΩ-4 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 | 对比 |
| IRF5305LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | 对比 |
 | IPI45N06S3L-13 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 | 对比 |
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