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首页 全部分类 IRS2004SPBF vs AUIRS2128S

IRS2004SPBF备选型号: AUIRS2128S

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  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 接口IC类型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 关断时间
  • Infineon Technologies
    IRS2004SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    IRS2004SPBF
    2
    220V
    600mA
    15V
    150μA
    625mW
    130mA
    270μA
    160 ns
    Non-Inverting
    680 ns
    20V
    70ns
    35 ns
    10V
    150 ns
    70ns 35ns
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    150°C
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    125°C
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2128S
    Infineon Technologies
    IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    -
    EAR99
    -
    625mW
    12V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    AUIRS2128S
    -
    -
    600mA
    -
    -
    625mW
    290mA
    -
    275 ns
    Inverting
    275 ns
    -
    130ns
    65 ns
    -
    -
    80ns 40ns
    Single
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    -
    OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    Automotive, AEC-Q100
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    1
    0.275 μs
    0.275 μs
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