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首页 全部分类 IRS2101SPBF vs IRS2607DSTRPBF

IRS2101SPBF备选型号: IRS2607DSTRPBF

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  • 闸门类型
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  • 内置保护器
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  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 电阻
  • 资历状况
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • Infineon Technologies
    IRS2101SPBF
    Infineon Technologies
    Power MOSFET and IGBT Driver, High Voltage, High Speed, 600V, 8-pin SOIC, Tube
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    150 ns
    1996
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2101SPBF
    2
    620V
    600mA
    15V
    270μA
    625mW
    290mA
    270μA
    220 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    170ns
    90 ns
    150 ns
    70ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2607DSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Half-Bridge
    1996
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2607DSPBF
    1
    -
    350mA
    -
    -
    625mW
    200mA
    -
    715 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    220ns
    80 ns
    -
    150ns 50ns
    全桥mosfet驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    600V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    200Ohm
    不合格
    2
    0.2A
    YES
    0.7 μs
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