IRS2108STRPBF备选型号: IRS2608DSPBF

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  • 电源电流
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    IRS2108SPBF
    10V
    600mA
    15V
    1.6mA
    625mW
    290mA
    1.6mA
    300 ns
    Inverting, Non-Inverting
    30 ns
    220ns
    80 ns
    100ns 35ns
    Independent
    2
    0.3 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    IRS2608DSPBF
    620V
    350mA
    -
    -
    625mW
    200mA
    -
    380 ns
    Inverting, Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SOIC
    SMD/SMT
    200Ohm
    125°C
    -40°C
    2
    20V
    10V
    无SVHC
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