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首页 全部分类 IRS2113MTRPBF vs MIC4424YWM

IRS2113MTRPBF备选型号: MIC4424YWM

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  • 关断时间
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • Infineon Technologies
    IRS2113MTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
    16
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    14
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.08W
    10V~20V
    QUAD
    无铅
    未说明
    1
    15V
    0.5mm
    未说明
    IRS2113MPBF
    S-XQCC-N14
    不合格
    20V
    2.5A
    15V
    15μA
    2.08W
    2.5A
    200 ns
    Non-Inverting
    20 ns
    35ns
    25 ns
    25ns 17ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    2.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2.5A 2.5A
    0.19 μs
    TRANSIENT
    600V
    4mm
    1.05mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4424YWM
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 16-SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    960mW
    4.5V~18V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MIC4424
    -
    -
    25mV
    3A
    -
    2mA
    -
    3A
    75 ns
    Non-Inverting
    33 ns
    28ns
    32 ns
    28ns 32ns
    -
    Independent
    2
    -
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16-SOIC
    85°C
    -40°C
    2
    18V
    4.5V
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