Infineon Technologies IRS2113MTRPBF
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IRS2113MTRPBF
1211-IRS2113MTRPBF
PMIC - 栅极驱动器
16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
--最小包装量--
IRS2113MTRPBF详情
Infineon Technologies IRS2113MTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
引脚数
16
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
6V 9.5V
Turn Off Delay Time
120 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
2.08W
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IRS2113MPBF
JESD-30代码
S-XQCC-N14
资历状况
不合格
输出电压
20V
最大输出电流
2.5A
电源
15V
电源电流
15μA
功率耗散
2.08W
输出电流
2.5A
传播延迟
200 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
20 ns
上升时间
35ns
下降时间(典型值)
25 ns
上升/下降时间(Typ)
25ns 17ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Independent
驱动器数量
2
输出峰值电流限制-名
2.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2.5A 2.5A
关断时间
0.19 μs
内置保护器
TRANSIENT
高压侧电压-最大值(自举)
600V
长度
4mm
座位高度(最大)
1.05mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRS2113MTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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