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首页 全部分类 IRS2113PBF vs MIC4467ZN

IRS2113PBF备选型号: MIC4467ZN

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  • 信道型
  • 接通时间
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 座位高度(最大)
  • Infineon Technologies
    IRS2113PBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14-DIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    IRS2113PBF
    2
    620V
    2.5A
    15V
    340μA
    1.6W
    2.5A
    340μA
    160 ns
    Non-Inverting
    20 ns
    35ns
    25 ns
    120 ns
    25ns 17ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    0.16 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2.5A 2.5A
    0.15 μs
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    4.9276mm
    20.1676mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4467ZN
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 14-DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    Low-Side
    0°C~70°C TA
    Tube
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    1.5W
    4.5V~18V
    DUAL
    4
    -
    MIC4467
    -
    -
    1.2A
    -
    200μA
    1.5W
    1.2A
    -
    75 ns
    Inverting
    75 ns
    25ns
    25 ns
    -
    14ns 13ns
    基于NAND门的MOSFET驱动器
    Independent
    0.1 μs
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    0.1 μs
    -
    -
    -
    -
    7.62mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    NOT APPLICABLE
    NOT APPLICABLE
    不合格
    4
    1.2A
    NO
    5.588mm
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