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首页 全部分类 IRS21171SPBF vs MIC4422AYM

IRS21171SPBF备选型号: MIC4422AYM

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS21171SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    IRS21171SPBF
    不合格
    600mA
    625mW
    230 ns
    Non-Inverting
    230 ns
    130ns
    65 ns
    75ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Single
    1
    0.2 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4422AYM
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    767mW
    4.5V~18V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MIC4422
    -
    9A
    767mW
    -
    Non-Inverting
    68 ns
    75ns
    75 ns
    20ns 24ns
    -
    Single
    1
    -
    N-Channel MOSFET
    9A 9A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    8-SOIC
    85°C
    -40°C
    1
    18V
    4.5V
    500μA
    9A
    无
    无铅
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