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首页 全部分类 IRS21814MTRPBF vs IR2113-1PBF

IRS21814MTRPBF备选型号: IR2113-1PBF

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  • 宽度
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 输入失调电压(Vos)
  • Infineon Technologies
    IRS21814MTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
    16
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    14
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.08W
    10V~20V
    QUAD
    无铅
    未说明
    1
    15V
    0.5mm
    未说明
    IRS21814MPBF
    S-XQCC-N14
    不合格
    2.3A
    15V
    2.08W
    1.9A
    330 ns
    Non-Inverting
    35 ns
    60ns
    35 ns
    40ns 20ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    2.5A
    N-Channel MOSFET
    1.9A 2.3A
    0.33 μs
    TRANSIENT
    600V
    4mm
    1.05mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2113-1PBF
    Infineon Technologies
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
    -
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm), 13 Leads
    14
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.6W
    3.3V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IR2113-1PBF
    -
    -
    2A
    -
    1.6W
    2.5A
    150 ns
    Non-Inverting
    20 ns
    35ns
    25 ns
    25ns 17ns
    -
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2A 2A
    -
    -
    600V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    14-PDIP
    125°C
    -40°C
    2
    20V
    10V
    340μA
    340μA
    600V
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