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IRS21853SPBF备选型号: IRS21856SPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 最大输出电流
  • 电源
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS21853SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    High-Side
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    16
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    1.25W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    15V
    30
    IRS21853SPBF
    2A
    15V
    75μA
    1.25W
    2A
    170 ns
    Non-Inverting
    170 ns
    50ns
    50 ns
    15ns 15ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2A 2A
    UNDER VOLTAGE
    600V
    1.4986mm
    9.9568mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRS21856SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    Half-Bridge
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    EAR99
    -
    1W
    10V~20V
    -
    -
    未说明
    -
    -
    未说明
    IRS21856SPBF
    500mA
    -
    120μA
    -
    500mA
    -
    Non-Inverting
    250 ns
    30ns
    20 ns
    30ns 20ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    -
    600V
    1.4986mm
    8.7376mm
    3.9878mm
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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