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首页 全部分类 IRS21962SPBF vs AUIRS2110S

IRS21962SPBF备选型号: AUIRS2110S

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  • 宽度
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  • 系列
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源电压1-额定值
  • 内置保护器
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRS21962SPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    High-Side
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    16
    EAR99
    1W
    10V~20V
    鸥翼
    200kHz
    IRS21962SPBF
    不合格
    20V
    500mA
    515V
    Dual
    105μA
    1W
    500mA
    125 ns
    Non-Inverting
    90 ns
    25ns
    25 ns
    25ns 25ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    600V
    1.5mm
    9.98mm
    3.99mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2110S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    35 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    16
    EAR99
    1.25W
    3V~20V
    鸥翼
    -
    AUIRS2110S
    -
    -
    2.5A
    15V
    -
    -
    1.25W
    2.5A
    230 ns
    Non-Inverting
    35 ns
    40ns
    30 ns
    25ns 15ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2.5A 2.5A
    500V
    2.35mm
    10.4902mm
    7.5946mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    Automotive, AEC-Q100
    e3
    Tin (Sn)
    DUAL
    260
    1
    15V
    30
    15V
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    无
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