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首页 全部分类 IRS2330DJTRPBF vs IRS2332JTRPBF

IRS2330DJTRPBF备选型号: IRS2332JTRPBF

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  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • Infineon Technologies
    IRS2330DJTRPBF
    Infineon Technologies
    IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    75Ohm
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    未说明
    1
    15V
    1.27mm
    未说明
    IRS2330DJPBF
    不合格
    20V
    500mA
    15V
    4mA
    2W
    200mA
    700 ns
    Inverting
    50 ns
    80ns
    35 ns
    80ns 35ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    3-Phase
    6
    0.7 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    0.7 μs
    600V
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
    符合RoHS标准
  • Infineon Technologies
    IRS2332JTRPBF
    Infineon Technologies
    IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    75Ohm
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    -
    -
    15V
    1.27mm
    -
    IRS2332JPBF
    不合格
    -
    500mA
    15V
    -
    2W
    200mA
    700 ns
    Inverting
    50 ns
    125ns
    55 ns
    80ns 35ns
    -
    3-Phase
    6
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    -
    600V
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
    符合RoHS标准
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