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首页 全部分类 IRS23365DMTRPBF vs IRS26310DJTRPBF

IRS23365DMTRPBF备选型号: IRS26310DJTRPBF

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  • 电源
  • 功率耗散
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  • 传播延迟
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRS23365DMTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLPQ
    18 Weeks
    48-VFQFN Exposed Pad, 34 Leads
    表面贴装
    表面贴装
    48
    750 ns
    1996
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    IRS23365
    4mA
    380mA
    Non-Inverting
    750 ns
    125ns 50ns
    BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
    3-Phase
    6
    IGBT, N-Channel MOSFET
    180mA 380mA
    600V
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS26310DJTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC
    -
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    表面贴装
    表面贴装
    44
    Half-Bridge
    1996
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    8542.39.00.01
    2W
    12V~20V
    IRS26310DJPBF
    -
    350mA
    Non-Inverting
    -
    125ns 50ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    3-Phase
    6
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    符合RoHS标准
    无
    44
    100Ohm
    QUAD
    J BEND
    1
    15V
    1.27mm
    15V
    2W
    350mA
    750 ns
    190ns
    75 ns
    0.75 μs
    0.2A
    YES
    0.75 μs
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
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