IRS23365DMTRPBF
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Infineon Technologies IRS23365DMTRPBF

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型号

IRS23365DMTRPBF

utmel 编号

1211-IRS23365DMTRPBF

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

48-VFQFN Exposed Pad, 34 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLPQ

起订量

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IRS23365DMTRPBF
IRS23365DMTRPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLPQ

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IRS23365DMTRPBF详情

Infineon Technologies IRS23365DMTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-VFQFN Exposed Pad, 34 Leads

  • 引脚数

    48

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 2.5V

  • Turn Off Delay Time

    750 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1996

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 最大功率耗散

    2W

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 基本部件号

    IRS23365

  • 最大输出电流

    380mA

  • 最大电源电流

    4mA

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 接通延迟时间

    750 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    125ns 50ns

  • 接口IC类型

    BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER

  • 信道型

    3-Phase

  • 驱动器数量

    6

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    180mA 380mA

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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