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首页 全部分类 IRS2607DSTRPBF vs IRS2608DSPBF

IRS2607DSTRPBF备选型号: IRS2608DSPBF

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  • 电源电压
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  • 资历状况
  • 最大输出电流
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  • 输出电流
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  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出电压
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS2607DSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    200Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2607DSPBF
    1
    不合格
    350mA
    625mW
    200mA
    715 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    全桥mosfet驱动器
    Independent
    2
    0.2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    YES
    0.7 μs
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2608DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    200Ohm
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IRS2608DSPBF
    2
    -
    350mA
    625mW
    200mA
    380 ns
    Inverting, Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    -
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    -
    -
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    8-SOIC
    SMD/SMT
    125°C
    -40°C
    620V
    20V
    10V
    无SVHC
    无铅
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