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首页 全部分类 IRS26302DJPBF vs IRS2332JTRPBF

IRS26302DJPBF备选型号: IRS2332JTRPBF

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  • 输出电流
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  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRS26302DJPBF
    Infineon Technologies
    IC BRIDGE 1 GATE DVR 3PH 44PLCC
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    100Ohm
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    4.6W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    1
    15V
    1.27mm
    IRS26302DJPBF
    620V
    350mA
    15V
    Single
    2.5mA
    4.6W
    200mA
    20mA
    710 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    190ns
    75 ns
    125ns 50ns
    3-Phase
    6
    0.71 μs
    0.2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    YES
    0.71 μs
    600V
    3.69mm
    16.66mm
    16.66mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2332JTRPBF
    Infineon Technologies
    IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
    表面贴装
    表面贴装
    44-LCC (J-Lead), 32 Leads
    44
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    75Ohm
    -
    8542.39.00.01
    2W
    10V~20V
    QUAD
    J BEND
    -
    15V
    1.27mm
    IRS2332JPBF
    -
    500mA
    15V
    -
    -
    2W
    200mA
    -
    700 ns
    Inverting
    50 ns
    125ns
    55 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    6
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    -
    600V
    4.572mm
    16.6624mm
    16.6624mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    不合格
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