IS41C16105C-50TLI备选型号: CY62146ESL-45ZSXIT
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- 底架
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- 包装/外壳
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 内存大小
- 端口的数量
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- DRAM Chip FPM 16Mbit 1Mx16 5V 44-Pin TSOP-II表面贴装表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile90mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)44EAR99RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH8542.32.00.025VDUAL10.8mm16Mb 1M x 16125nsDRAMParallel16b1MX161610b16 Mb20.95mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅-------------------
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II表面贴装表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile20mA-40°C~85°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)44-IT CAN ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY-3VDUAL10.8mm4Mb 256K x 161-SRAMParallel--1618b4 Mb--无ROHS3 Compliant无铅6 WeeksMoBL®2001e4yesNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)26030CY621462.5/5V3-STATE45ns0.000007A45 nsCOMMONAsynchronous16b3.6V2.2V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS41LV16105C-50TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| IS41LV16100C-50TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY62146ESL-45ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |


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