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IS41C16105C-50TLI备选型号: IS62C25616BL-45TLI

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 电源
  • 输出特性
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS41C16105C-50TLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip FPM 16Mbit 1Mx16 5V 44-Pin TSOP-II
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    90mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
    8542.32.00.02
    5V
    DUAL
    1
    0.8mm
    16Mb 1M x 16
    1
    25ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    16
    10b
    16 Mb
    20.95mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62C25616BL-45TLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
    -
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    20mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    -
    -
    5V
    DUAL
    1
    0.8mm
    4Mb 256K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    32KX8
    8
    18b
    4 Mb
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    YES
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    260
    40
    20mA
    5V
    3-STATE
    45ns
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
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