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IS41LV16256C-35TLI备选型号: 71V416L10PHG
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- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
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- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 内存大小
- 端口的数量
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 电压 - 供电 （最大值）
- 电压 - 供电 （最小值）
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 温度等级
- 界面
- 输出特性
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
DRAM Chip EDO 4M-Bit 256Kx16 3.3V 40-Pin TSOP-II表面贴装表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width), 40 Leads40Volatile230mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)40EAR99RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH8542.32.00.023.3VDUAL10.8mm4Mb 256K x 16118nsDRAMParallel16b256KX16169b4 Mb3.6V3V18.41mm1.2mm无ROHS3 Compliant--------------------
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM表面贴装-TSOP44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous180mA--活跃3 (168 Hours)44---3.3VDUAL10.8mm512kB110 ns-----18b4 Mb3.6V3V18.41mm-无符合RoHS标准12 Weeks2005e3yesMatte Tin (Sn) - annealed70°C0°C鸥翼26030COMMERCIALParallel3-STATECOMMONAsynchronous16b3V10.16mm1mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 71V416L10PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | 对比 |
 | CY62148EV30LL-45ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62148EV30LL-45ZSXI SRAM, 4 Mbit, 512K x 8bit, 2.2V to 3.6V, TSOP, 32 Pins, 45 ns | 对比 |
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