IS42RM16160D-7BLI备选型号: S29GL256P10FFI020
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 已出版
- HTS代码
- 电源
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 通用闪存接口
- DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54-Pin TFBGACopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATraye1yesDiscontinued3 (168 Hours)54EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM26012.5V0.8mm10542.5V2.7V2.3V256Mb 16M x 161110mA5.4nsDRAMParallel16b16MX163-STATE1615b256 Mb0.001A143MHzCOMMON81921248FP124813mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅------------------
- IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGACopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装64-LBGA64Non-Volatile-40°C~85°C TATraye1-活跃3 (168 Hours)643A991.B.1.ATin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)-2.7V~3.6VBOTTOM26013V1mm40--3.6V2.7V256Mb 32M x 8-110mA-FLASHParallel8b256MX1-1-256 Mb0.000005A-----13mm1.4mm无ROHS3 Compliant-16 WeeksGL-P20128542.32.00.513/3.3V100ns100 nsAsynchronous3V8YESYESYES256128K8/16wordsYESYES
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42SM16160K-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M, 3.3V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR | 对比 | |
| IS42S16160G-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS43LR16160G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 |


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